UltraPoligrind磨轮(图)|迪思科科技上海有限公司|切割机 , 研削机, 抛光干式蚀刻机

发布时间:2010-1-27 17:40:59
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使用超微细金刚石，兼顾高抗折强度和去疵性，实现晶片薄化研削的新解决方案

UltraPoligrind采用超微细金刚石磨粒，实现比Poligrind更低的研削损伤、更高的抗折强度。此外，即使进行应力消除处理，UltraPoligrind新型精加工研削磨轮仍可维持去疵性不降低。作为一般研削加工工艺，不使用化学研磨液，在减轻环境负荷、简化操作的同时实现薄化研削。

特点

晶片损伤TEM比较
与#2000研削磨轮相比可知，经UltraPoligrind研削的晶片，其变质层明显缩小许多。

UltraPoligrind Wheel

#2000 Wheel

加工对象

硅晶片、其他材料

适用设备

研削机：DAG800系列、DFG800系列、DFG8000系列、DGP8000系列

规格

实验数据

抗折强度比较
比较Min值可以发现，UltraPoligrind的抗折强度几乎可达到与干式抛光同等的水平。

去疵效果
镜面晶片样本经强制污染后从反面析出的Cu量在1.0E11以上，而UltraPoligrind样本从反面析出的Cu量在检测临界值以下，由此可知UltraPoligrind面具有去疵效果。

Cu强制污染前后的TXRF测量数据（φ8英寸镜面晶片）
		为了定量测量去疵效果，将经过Cu强制污染的样本以350度加热3小时，然后使用TXRF（全反射X射线荧光分析仪）进行分析。以UltraPoligrind的样本为例，对研削面进行Cu强制污染并使Cu扩散后，使用TXRF分析反面（镜面）析出的Cu量。